龙芯芯片内有两种SRAM：一是与微处理器(数据，代码存储器)紧密联系的CPUSRAM；另一种是硬盘控制使用的HDCSRAM，不能被微控制器直接：读取，为双端口SRAM。二者各自选用了不同的测试策略。
CPUSRAM测试策略
如密集SRAM一样，SRAM宏单元的版图也是用手工提升进行，那样可以持续接近工艺极限，节约空间和能耗。以便得到更高的生产率，密集的SRAM中加入了冗余单元。以便减少测试成本费，尽量减少了插入电路。绝大多数的测试由上面DRAM存储器激励，可在存储器测试仪上直接测试。充分考虑SRAM测试要在存储器测试仪上运作，因而，在设计方案时把微控制器读取存储器控制模块SRAM的测试优化算法储存在一个叫MSIST(存储器自查手机软件)的ROM里。这一程序流程不但可以非常容易被存储器测试仪控制，并且非常容易通过单面掩膜重设计方案进行变更变化。通过那样的DFT设计方案，就以在一个专用型存储器测试仪上进行全部的存储器试，进而开展冗余存储器的熔断。MSIST和MBIST可以实行march-14，旗盘测试和反旗盘等测试。
双端口SRAM的BIST手机软件测试
集成ic内不能被CPU直接读取的HDC双端口SRAM，则通过CPU运作BIST优化算法由下载应用进行测试。因为选用手机软件测试方式，必须花活力提前准备手机软件测试空间向量，在设计方案时，应考虑到SRAM的版图及上面MBIST逻辑的创建。
对大部分SRAM而言，MBIST运作速度能储存选用一样的方式和速率，而硬件配置MBIST经常在较低速率或改动浏览后综合性而成。因而用手机软件法不容易出現在测试时RAM通过，而在具体运用时无效等状况。
DFM
测试时要考虑到为全部的SRAM建立一张位无效图(BFM)，可通过CPU的数据线输出。这种位无效图对生产加工很重要，在达标率科学研究和改进层面，可以给工艺工程师出示极其重要和必要信息。
RAM测试
过去的两年里，嵌入式DRAM的测试是关心的焦点。熔断前测试是通过特殊的逻辑从脚位加入的。外界ATE存储器出示全部的激励和期望结果比较，并由ATE对无效单元创建BFM及测算最好修复计划方案。DRAMBIST有工作能力建造冗余测算，也就是BISR(内建自修复)。
高并行测试的DRAM构造
一般，DRAM占有的测试時间比逻辑测试长。因而以便减少单独元器件的合理测试時间，设计方案时考虑到了高并行测试。
嵌入式DRAM的熔断前测试是在一个专用型存储器测试仪上开展，使用BIST的直达方式。那样，通过减少冗余修复的时间计算及高并行测试降低了测试時间。一个专用型存储器测试仪的优势是：硬件配置适用存储器测试优化算法、能对一个详细的多兆位存储器开展位无效信息的储存和剖析，及其并且为高并行测试出示很多的供电电源。
本元器件采用存储器ATE开展测试。因而，必须一个最少测试方式导进(提前准备编码序列)结构存储器。一旦存储器结构好，还需出示一个典型性的存储器插口，包含冗余数据键入和输出的导进。通过限定详细地址和数据键入的总数，而且将需要的脚位分列在集成ic的两相对性边缘，可以完成高并行测试。
含有BIST的DRAM测试
有BIST控制板的DRAM控制模块，能在IEEEll49．1命令合理布局后被激话。一旦熔断器刚开始，DRAM测试就必须专业考虑到存储器的修复，而可在规范的逻辑ATE上开展。由于BIST由上面造成详细地址和控制数据信号，并只送出去个通过／无效结果。因此，用以联接的端口数将大大减少。
作为中国自主品牌，龙芯2H采用了SoC设计，芯片集成CPU，GPU北桥和南桥芯片。采用了低功耗方案设计，降低能耗的特色功能包括手动门控时钟的和电源|稳压器管理功能，例如模块级时钟门控方法，CPU频率调节，CPU温度感应等。
规格方面，龙芯2H基于MIPS64指令集，可以运行在多个操作系统下，1GHz下功耗为4W，配备4路组相连的64KB（数据）/64KB（指令）L1缓存，二级缓存为512KB，而图形方面采用了Vivante的GC800 GPU，瑞芯微的新一代RK2918芯片就采用了这一GPU，从Vivante公布的数据来看，GC800 GPU基于统一架构，支持OpenGL ES 2.0，40nm LP工艺版本，提供31.5M/s的多边形生成速率，像素生成率为315M/s，产品支持1080p视频播放。
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