台积电英特尔有竞争才有10纳米

time : 2018-10-08 12:15       浣滆咃細鍑′嚎pcb


半导体巨擘英特尔发布最新的先进制程技术蓝图,其中众所关注的10纳米预计2015年量产,比原先规划时间提早一年,并进一步拉大领先台积电的时间。  台积电的10纳米预计2017年量产,较英特尔晚两年。半导体业界人士表示,虽然英特尔技术不断超前,是因应处理器速度的需求,但英特尔已在晶圆代工正式卡位,一旦10纳米在2015年量产,对台积电仍有潜在的竞争压力。  台积电日前一度因为美国宽松货币政策传出退场,跌破108元月线区,昨天股价收盘小涨1.5元,收在109.5元,股价获得支撑。  英特尔副总经理兼元件研究处长麦克(Mike Mayberry)在刚刚落幕的比利时微电子研究机构IMEC2013科技论坛演讲中确认,英特尔已确定10纳米可于2015年量产。  根据最新技术蓝图,英特尔重申继续执行Tick-Tock发展策略,也就是每两年将对半导体技术制程进行大规模升级。英特尔预计2014年导入14纳米制程,2015年导入10奈足制程,并计划于2017年抵达7纳米的极先进水平。  不过,麦克(Mike Mayberry)表示,英特尔也在研发10纳米以下替代矽的半导体材料,如3-D晶体管、三五族复合半导等,只希望能将半导体性能发挥至极致,提升各类运算的应用需求。  英特尔今年初因与台积电大客户阿尔特拉(Altera)签署14 纳米Finfet代工合约,被视为进军晶圆代工的正式起跑点。  台积电共同营运长暨执行副总蒋尚义上月表示,台积电以前与英特尔河水不犯井水,不过,随着英特尔开始抢台积电客户的生意,台积电先进制程技术发展将加速,希望在10纳米全面赶上英特尔。  台积电预计16纳米Finfet仅与20纳米差距一年,于2015年推出,10纳米计划2017年导入量产,在英特尔技术不断领先下,对台积电形成挑战。